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    • 科研型等離子體干法刻蝕(ICP/CCP)系統(tǒng)

    • 科研型等離子體干法刻蝕(ICP/CCP)系統(tǒng)

    • 科研型等離子體干法刻蝕(ICP/CCP)系統(tǒng)

    • 科研型等離子體干法刻蝕(ICP/CCP)系統(tǒng)

    科研型等離子體干法刻蝕(ICP/CCP)系統(tǒng)

    簡要描述:PLUTO-E100型科研型等離子體干法刻蝕(ICP/CCP)系統(tǒng)是一款低成本,適合于科研機(jī)構(gòu)實(shí)驗(yàn)室的桌面型科研設(shè)備,整套系統(tǒng)的目的是在4寸以及以下的樣品上進(jìn)行干法刻蝕。該系統(tǒng)包括反應(yīng)腔室,真空系統(tǒng),RF射頻系統(tǒng),反應(yīng)氣路系統(tǒng),電器控制,軟件程序等幾個(gè)子系統(tǒng)。

    • 產(chǎn)品型號:PLUTO-E100
    • 廠商性質(zhì):生產(chǎn)廠家
    • 更新時(shí)間:2025-04-08
    • 訪  問  量:456

    詳細(xì)介紹

    品牌PLUTOVAC射頻13.56MHz
    功率1000W腔體鋁合金
    氣路4-6額定電壓220V
    是否國產(chǎn)國產(chǎn)

    PLUTO-E100型科研型等離子體干法刻蝕(ICP/CCP)系統(tǒng)是一款低成本,適合于科研機(jī)構(gòu)實(shí)驗(yàn)室的桌面型科研設(shè)備,整套系統(tǒng)的目的是在4寸以及以下的樣品上進(jìn)行干法刻蝕。該系統(tǒng)包括反應(yīng)腔室,真空系統(tǒng),RF射頻系統(tǒng),反應(yīng)氣路系統(tǒng),電器控制,軟件程序等幾個(gè)子系統(tǒng)。

    整套系統(tǒng)為全自動(dòng)化軟件控制,支持recipe編寫,支持多個(gè)工藝步驟自動(dòng)運(yùn)行的能力。設(shè)備設(shè)有互鎖,斷電記憶,自動(dòng)報(bào)警,分子泵保護(hù)等安全保護(hù)功能。為了保證設(shè)備的靈活性預(yù)留一定的升級空間。


    科研型等離子體干法刻蝕(ICP/CCP)系統(tǒng)技術(shù)參數(shù):

     

    1.反應(yīng)腔室:T6060鋁合金,適合4寸及以下樣品;

    2.真空系統(tǒng)由分子泵以及機(jī)械泵組成,真空測量系統(tǒng)采用電容式壓力計(jì);

    3.設(shè)備配有1000w的13.56MHz的射頻電源,自動(dòng)射頻匹配器,以及射頻線纜以及專用射頻接頭;

    4.配有4路反應(yīng)氣體,最多刻升級至6路;

    5.ICP 等離子體刻蝕機(jī)整套系統(tǒng)為自動(dòng)化控制系統(tǒng),該自動(dòng)化系統(tǒng)通過PLC、工控機(jī)以及控制軟件共同實(shí)現(xiàn)。


    科研型等離子體干法刻蝕(ICP/CCP)系統(tǒng)應(yīng)用領(lǐng)域:

     

    微電子制造‌:等離子刻蝕廣泛應(yīng)用于集成電路和芯片制造,用于制作電路中的細(xì)微結(jié)構(gòu),如晶體管、電容器等,以及修復(fù)或調(diào)整芯片上的電子設(shè)備。

     

    ‌光學(xué)器件制造‌:等離子刻蝕技術(shù)可用于制造光學(xué)器件,如光纖、光波導(dǎo)等。通過控制等離子體的能量和密度,可以在光學(xué)材料上形成所需的結(jié)構(gòu)和形狀。

     

    ‌MEMS制造‌:等離子刻蝕機(jī)可用于制造微機(jī)電系統(tǒng)(MEMS)中的細(xì)微結(jié)構(gòu)和器件,例如微型傳感器、無線通信設(shè)備和微機(jī)械運(yùn)動(dòng)系統(tǒng)等。

     

    ‌光罩制造‌:等離子刻蝕用于制造光罩上的圖案,以及修復(fù)或修改光罩上的細(xì)微結(jié)構(gòu)。

     

    ‌生物醫(yī)學(xué)應(yīng)用‌:等離子刻蝕可用于生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域,如微流控芯片、生物芯片等的制造,實(shí)現(xiàn)微觀結(jié)構(gòu)的制備,用于生物分析和實(shí)驗(yàn)。

     

    ‌納米技術(shù)‌:等離子刻蝕可以用于制造納米材料和納米結(jié)構(gòu),如納米管、納米顆粒等,通過控制等離子體的成分和反應(yīng)條件,實(shí)現(xiàn)對材料的精確修飾和控制。

     

    ‌晶圓制造‌:在晶圓制造過程中,等離子刻蝕機(jī)利用四氟化碳?xì)怏w進(jìn)行硅片的線刻蝕,以及氮化硅刻蝕和光刻膠的去除。通過調(diào)整氣體成分,可以精確控制刻蝕深度,實(shí)現(xiàn)微米級的高精度刻蝕。


     

     

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