真空等離子體涂覆薄膜沉積設(shè)備Pluto-MC利用等離子體改性時(shí)，將試樣置于特定的離子處理裝置中，通過(guò)高能態(tài)的等離子轟擊試樣的表面，將能量傳遞給試樣表層的分子，使試樣發(fā)生熱蝕、交聯(lián)、降解和氧化反應(yīng)，并使試樣表面發(fā)生C-F鍵和C-C鍵的斷裂，產(chǎn)生大量自由基或引進(jìn)某些極性基團(tuán)，從而優(yōu)化試樣表面的性能。